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规格书 |
NVMFS5826NL |
封装 | Reel |
RoHS | RoHS Compliant |
FET特点 | Logic Level Gate |
安装类型 | * |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 2.5V @ 250µA |
封装/外壳 | * |
供应商设备封装 | * |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 24 mOhm @ 10A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 3.6W |
标准包装 | 5,000 |
漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 8A (Ta) |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 850pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 17nC @ 10V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
工厂包装数量 | 5000 |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
晶体管极性 | N-Channel |
系列 | NVMFS5826NL |
品牌 | ON Semiconductor |
Id - Continuous Drain Current | 26 A |
安装风格 | SMD/SMT |
通道数 | 1 Channel |
Rds On - Drain-Source Resistance | 24 mOhms |
技术 | Si |
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